POSCAR · INCAR · KPOINTS · POTCAR — 格式與各項意義
Co-Pt HEA slab · HER 氫吸附計算 · 專題參考
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描述晶胞與每顆原子座標。以 top_Co_001/POSCAR 為例:
Co Pt + H (top_Co_001) 第1行 註解/系統名(VASP 不讀內容) 1.0 第2行 整體縮放因子(1.0 = 下面單位就是 Å) 10.711831 0.000000 0.000000 第3行 晶格向量 a1 -5.353996 9.288957 0.000000 第4行 晶格向量 a2(a1,a2 有夾角 = 六方) 0.000000 0.000000 26.166769 第5行 晶格向量 a3(沿 z = 表面法線+真空) Co Pt H 第6行 元素種類(順序 = POTCAR 串接順序) 48 48 1 第7行 各元素幾顆(48 Co, 48 Pt, 1 H = 97) Selective dynamics 第8行 開啟選擇性動力學(下面多 T/F 旗標) Direct 第9行 座標型態(Direct=分數 / Cartesian=Å) 0.32195 0.66083 0.53991 T T T 第10行起 每顆原子座標 + 可否移動 0.08387 0.91484 0.28662 F F F ... 0.49552 0.73870 0.76867 T T T 最後一行 = H
座標行沒有元素標籤,VASP 純靠位置分派:第 1–48 行是 Co、49–96 行是 Pt、97 行是 H。 因為它們排在「48 Co 之後、48 Pt 之內…」。順序亂 = 元素認錯 = 結果全錯。
第9行只有這兩種。VASP 只看第一個字母:C/c/K/k=Cartesian,其他=Direct。 用 Direct 的好處:換晶胞大小時座標不用重算。改字也要連下面座標一起換,否則原子擠成一團爆掉。
三個值 = 能否沿 x / y / z 移動。T T T=可動(頂層+H)、F F F=固定(底 3 層)。 固定底層模擬「下接無限塊材」,防止整片 slab 亂飄 = 防不收斂關鍵。
96 個位點檔,前 96 顆金屬完全相同,唯一差別是最後一行 H 的座標。三種位點:
| 位點 | H 的 (x,y) 放在 | 起始高度 |
|---|---|---|
| top | 1 顆表面原子正上方 | +1.55 Å |
| bridge | 2 顆相鄰原子中點上方 | +1.35 Å |
| hollow | 3 顆原子三角形中心上方 | +1.10 Å |
高度換成分數座標:Δz = 1.55 / 26.17 ≈ 0.059(除以 c 軸長,因 c 沿 z)。 1.55 = 金屬–氫鍵長合理起點(Pt–H/Co–H ≈ 1.5–1.8 Å)。H 越多鄰居陷越低。
告訴 VASP 用什麼精度、怎麼收斂、放鬆結構。slab 版全文:
PREC = Accurate 精度等級(算力/弛豫用 Accurate) ENCUT = 450 平面波截斷能量(eV);一批計算要用同一值 ALGO = Fast 電子求解演算法;不收斂改 Normal EDIFF = 1E-5 電子步(SCF)收斂門檻 ISMEAR = 1 金屬用 Methfessel-Paxton 抹平 SIGMA = 0.1 抹平寬度(eV) ISPIN = 2 開自旋(Co 有磁性,必開!) LREAL = Auto 大晶胞用實空間投影加速 IBRION = 2 共軛梯度移動原子找最低能 NSW = 300 最多離子步(給足避免被截斷) EDIFFG = -0.02 收斂判準:每原子受力 < 0.02 eV/Å ISIF = 2 只放鬆原子、固定晶胞(slab 標準) IVDW = 11 DFT-D3 凡得瓦修正 LWAVE = .FALSE. 不輸出 WAVECAR LCHARG = .FALSE. 不輸出 CHGCAR NCORE = 4 幾核算一條軌域(依節點調)
| 參數 | 值 | 意義 |
|---|---|---|
| PREC | Accurate | 用較密 FFT 格點,避免力的數值誤差 |
| ENCUT | 450 | 基組大小;越大越準越慢。要比較的計算必須同值 |
| ALGO | Fast | Davidson+RMM-DIIS 混合;SCF 震盪改 Normal 較穩 |
| EDIFF | 1E-5 | 一次 SCF 內能量差 < 10⁻⁵ eV 就停 |
| ISMEAR | 1 | 費米面電子占據抹平法。金屬必用 1,絕緣體才 -5/0 |
| SIGMA | 0.1 | 抹平寬度。算完檢查 entropy T*S/原子 < 1 meV |
| ISPIN | 2 | 開自旋極化。Co 有磁性必開,否則能量錯、常不收斂 |
| LREAL | Auto | 實空間投影(大晶胞快);小分子改 .FALSE. |
| 參數 | 值 | 意義 |
|---|---|---|
| IBRION | 2 | 共軛梯度移動原子;起點離平衡遠時最穩 |
| NSW | 300 | 最多離子步。=0 則不動原子只算單點能 |
| EDIFFG | -0.02 | 負值=看力:每原子受力 < 0.02 eV/Å 才算完 |
| ISIF | 2 | 放鬆原子、固定晶胞形狀體積(表面不改晶胞) |
| IVDW | 11 | DFT-D3(Grimme) 色散修正;H 吸附需要,幾乎不加成本 |
| LWAVE | .FALSE. | 不輸出波函數 WAVECAR(很大) |
| LCHARG | .FALSE. | 不輸出電荷密度 CHGCAR;畫 DOS 才開 |
| NCORE | 4 | 幾核處理一條軌域;影響速度不影響結果 |
教授說之前沒收斂,這套模板針對這三點調過:
ISMEAR=0(孤立分子用高斯)、LREAL=.FALSE.(小體系倒空間才準)、無 IVDW、EDIFF=1E-6(½E(H₂) 是基準要更準)。
決定在倒空間(布里淵區)取幾個 k 點算積分。取越密越準越慢。slab 版:
Automatic mesh 第1行 註解 0 第2行 0 = 自動產生網格 Gamma 第3行 網格型態(Gamma-centered) 3 3 1 第4行 三方向 k 點數 0 0 0 第5行 網格偏移
| 行 | 意義 |
|---|---|
| 0 | 寫 0 = 讓 VASP 依下面規格自動鋪 k 網格 |
| Gamma | 網格含 Γ 點;六方晶胞建議 Gamma-centered(比 Monkhorst 準) |
| 3 3 1 | a,b 方向各 3 點;c 方向 1 點(表面法向+真空不用取樣) |
每個元素的 贗勢(pseudopotential):把內層電子凍成有效勢,只顯式算價電子,省算力。
cat Co_pv/POTCAR Pt/POTCAR H/POTCAR > POTCAR
ΔG_H* ≈ [E(slab+H) − E(slab) − ½E(H₂)] + 0.24 eV
E 取各 OUTCAR 最終能量。目標 ΔG_H* ≈ 0(不是最負)——太強 H 放不掉、太弱 H 不上來,接近 0 最利 HER。
| 檔 | 管什麼 | 最該記住 |
|---|---|---|
| POSCAR | 原子座標 | 順序即身份;第6/7行定元素數量;Direct=分數 |
| INCAR | 計算設定 | ISPIN=2、ISMEAR=1、NSW=300 = 防不收斂三寶 |
| KPOINTS | k 網格 | slab 用 3 3 1(c 方向 1);分子用 1 1 1 |
| POTCAR | 贗勢 | 不能生成;串接順序=POSCAR 元素順序 |
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