CuPt 96 位點全數收斂，NiPt 驗證出次表面金屬效應不是巧合
今天想搞懂什麼
CuPt 找到的規律——次表面 Cu 越多、H 吸附越強，top 位相關係數 r = +0.723——目前只在單一系統上看到，會不會只是巧合？想拿 NiPt 的資料用同樣的方法驗證一次，看規律會不會重現。
卡在哪／遇到什麼問題
NiPt 目前才收到 20/96（其中 top 位只有 16 個），資料量還不夠算完整統計，只能先用一支「偷看」用的小腳本看 top 位點的趨勢。而且光看平均值容易被誤導：NiPt 的平均 ΔG_H（−0.055 eV）看起來比 CuPt（−0.091 eV）更接近理想值，但落在高活性帶的位點反而更少（6 個 vs 8 個），一開始不太確定這代表什麼。
怎麼想通的（或還沒）
NiPt top 位點的次表面 Ni 關聯係數是 r = +0.750，跟 CuPt 的 +0.723 幾乎一樣——同一個規律在兩個獨立系統上重現，就比較敢說不是巧合了。而且 NiPt 的配體效應斜率（+0.129 eV/Ni）比 CuPt（+0.089 eV/Cu）強 1.45 倍，剛好跟兩者標準差的比值（1.51）對得上：代表 NiPt 分佈比較寬，是配體效應真的比較強造成的，不是雜訊——這才想通「平均值比較好」不等於「活性位點比較多」的原因。同一天也把 CuPt 的計算流程整套重跑一次，確認 96 個位點全數收斂出 ΔG_H。
學到什麼
單一系統看到的規律，要在第二個獨立系統上重現才敢說是真規律而不是巧合；比較不同系統時也不能只看平均值，還要看分佈寬度跟高活性位點的比例。