CuPt 96 位點吸附能全數算完，找到最接近火山頂的位點
今天想搞懂什麼
前幾天把 CuPt 的 top/bridge/hollow 吸附位一次擴到 96 組後，一直卡在「都是輸入檔，還沒送算」。這次把結果整理進收斂追蹤表：top 16、bridge 48、hollow 32，共 95 組收斂出 ΔG_H，只剩 hollow_19 還沒過關。想搞懂的是：這麼多位點裡，到底哪一個最接近火山頂（|ΔG_H| 最小）？配位數（單配位 top、雙配位 bridge、三配位 hollow）跟吸附強弱之間是不是真的有規律？
卡在哪／遇到什麼問題
hollow_19 這組 job 卡死了，追蹤表上直接記了「job 卡死已重投」，能量欄位還是異常值，代表這組還沒有可用結果。另外 95 組數字量不小，光看表格看不出位點類型跟活性的關係，得先分類畫圖才看得出規律。
怎麼想通的（或還沒）
把 95 個位點依 top/bridge/hollow 分組畫成散點加平均線，發現配位數越高、H 吸附越強（ΔG_H 越負）：top 平均 -0.094 eV、bridge 平均 -0.142 eV、hollow 平均 -0.162 eV，跟「配位數越高吸附越強、越偏離火山頂」的方向一致。95 個位點裡有 22 個落在 |ΔG_H| < 0.1 eV 的高活性帶，其中 top_14 目前最接近火山頂，ΔG_H 只有 -0.001 eV。hollow_19 還在等重投後的結果，暫時沒算進統計。
學到什麼
CuPt 這輪 96 組位點掃描算是真的跑完了大部分，證實「配位數影響吸附強度」這個直覺在合金表面上也成立，還找到一個非常接近理想 ΔG_H 的位點。順手把同一套「先測幾個代表性位點」的流程搬到 NiPt，新建了 bridge、hollow、top、dip_on、lock4 幾個測試資料夾，準備看 NiPt 能不能重複這個套路。